với mạch passive RIAA như bên dưới, A1 là bóng EF804s và A2 là EF40 thì mình nên chọn R1 khoảng bao nhiêu là phù hợp ạ ? em nghe nói R1 phải lớn hơn trở kháng ra của EF804s nhiều và trở kháng vào của EF40 phải lớn hơn R1 ít nhất 50 lần. mình có nên dùng tụ nối tầng trước R1 không ạ ? em cảm ơn các bác nhiều ạ. Hà Nguyên
Người ta nói đúng. Lý do là trong passive network nầy trở kháng vào của tầng kế tiếp (Ri) làm thay đổi (ảnh hưỡng) vào R1 và trở kháng ra của tầng phía trước (Ro) được xem như là 1 phần (nối tiếp) của R1. Phải setup sao cho Ro<<R1<<Ri để có thế "bỏ qua" 2 yếu tố nầy. Nhưng trên thực tế thì không làm được. Vì sao? Thông thường thì trở kháng vào của tầng thứ 2 khoãng 1M (Rg của tầng 2), nếu R1 nhỏ hơn 20 lần thì sẽ bằng hoặc nhỏ hởn 20K. Và nếu "R1 phải lớn hơn trở kháng ra Ro nhiều" (thí dụ 10 lần), thì Ro phải nhỏ hơn 2K. Đa số những small signal tube có gain cao, trở kháng ra lớn hơn con số nầy. Cho nên Ro và Ri là 2 yếu tố không thể bỏ qua được và phải tính vào R1. Nếu gọi R1' là trị số thay thế cho R1 thì: R1' = (R1+Ro) // Ri (// = nối song song) Sau khi đã có R1' thì bác cứ tính theo công thức củ, xem A1 và A2 là 2 ampli "lý tưỡng" (trở kháng ra =0, trở kháng vào = vô cực). Công thức tính: R1'.C1 = 2187 us (us = micro second) R1'.C2 = 750 us R2. C1 = 318 us Do đó: R1'/R2 = 6.87735 C1/C2 = 2.916 Phải chọn R1 trước vì nó quan hệ đến DC gain. Chọn C1 và C2 sao cho có thể tìm được "standard value". Cuối cùng kiểm chứng lại 3 time-constant phía trên. *** Tụ nối tầng chắc chắn phải có rồi trừ trường hợp bác có mạch điện đặc biệt có thể chơi direct connection.
các bác xem dùm em output impedance ( Ro) và input impedance (Ri) của bóng EF40 và EF804s là bao nhiêu với ạ. http://www.google.de/url?sa=t&sourc...XZDWqetH4Ivjwy9pQ&sig2=z-g1mumIArDv7rVbj1m9ig http://www.google.de/url?sa=t&sourc...8HCpwDJrxzxNdpS1Q&sig2=RwXsX4AedwergbxdqtfEUw cảm ơn các bác
2 cái links bác đua ra là datasheet. bác phải có mạch điện thực tế mới có thể nói Ro và Ri phía là bao nhiêu. Small signal pentode nội trớ (rp) rất lớn nên trở kháng ra cũng chính là Rp (có người gọi là Ra) vì Ro = rp//Rp. Rp là con điện trờ nối từ Anode lên power. Dùng Pentode làm Pasive RIAA khó ăn lắm, ngoại trừ có 1 vài con đặc biệt như bác Quang Hào đang làm.
em định dựa theo mạch này bác ạ. nhưng bỏ phần subsonic filter, và thay phần ở giữa bằng cái passive RIAA bên trên. cảm ơn bác. http://klangfilm.free.fr/data/documentations/electronics/amplifiers/kl-v004/01.jpg http://klangfilm.free.fr/data/documentations/electronics/amplifiers/kl-v004/02.jpg http://klangfilm.free.fr/data/documentations/electronics/amplifiers/kl-v004/04.jpg
theo như mạch trên thì đèn pentod được mắc theo kiểu triode, Rp là tổng R7 + R14 + R10 =170k, như vậy trở kháng ra của bóng EF804s ở mạch trên là 170k trở kháng vào của EF40 = nội trở EF40 theo như datasheet là 2,5MegOhm. em tính vậy có đúng không ạ ?
Chắc không phải vậy đâu bác ạ. 2 con trở R10 và R14 đã bị 2 con cap C5 và C6 by-passed xuống ground rồi nên đâu có dính dáng gì đến tổng trở ra của tầng đầu tiên nửa. Tổng trở của tầng đầu tiên chính là R7 = 100K (nếu không kể nội trở anode của EF804S). Tuy nhiên bác phải để ý đến R2 và R3, 2 con nầy là local feedback của tầng đầu, nó sẽ làm hạ tổng trở ra của con pendtode đầu tiên. Có lẽ bác phải bỏ đi R1, R2, R3, C1 và C13. C2 có lẽ cũng phải bỏ luôn. Tuy nhiên bác cũng phải thay đổi trị số của R7 đển gain của tầng đầu không lớn quá. Tui không biết grid impedance của EF40 là bao nhiêu, tuy nhiên nó chắc chắn nó không phải là imput impedance của tầng thứ 2 vì bác phải tính điện trở của grid resistor (thông thường vài trăm K đến 1M). bác cũng phải luu lý là tầng thừ 2 chạy theo chế độ triode và như thế thì Cgp không nhỏ với hiệu ứng Miller thì input capacitance của tầng sau có thể lên từ 50 đến 100 pico farad, do đó phải cộng hiệu ứng nầy vào C2 trong RIAA network của bác. Mạch điện bác đưa ra hình như là xài cho cái "Magnetophone" của Đức, Bác phải chỉnh lại sau cho gain của 2 tầng A1 x A2 khoãng 1000 lần (chưa để RIAA network vào), sau đó mới nói chuyện RIAA.
