Ưu thế của Fet cũng có như cụ nói. Nhưng Mosfet 2 con P/N lệch nhau khá nhiều sẽ méo cao vì tầng này ko hồi tiếp. Méo cao thì ko lấy chất âm từ Vas được, vả lại em chưa chọn được cặp Fet lái cho cặp công suất sao cho thông số Fet lái và Fet công suất tương đối giống nhau.
Đồng ý với cụ chủ ... Đã vậy MOSFET công suất có nhiều chủng loại và cho dù có kiếm được MOSFET P/N cân nhau cũng vẫn méo so với BJT cho bias thấp 50mA mà thường đòi hỏi cao hơn nhiều lần ... Ông Pass bias cao đến cỡ class A là có lý do và nhiều lúc còn phải kết hợp với hồi tiếp toàn cục mà trong khi đó điều này là cụ chủ đã tránh từ ban đầu ...
Ái dà như vậy là tầng công suất phải cân lắm đảm bảo chúng em nó phải toả nhiệt cùng lúc và giống nhau ... Khoai à nghen. Hơn nữa hình như cụ bù nhiệt (dùng Q9/Q10) xem ra còn thiếu 1 tầng nữa thì phải vì vừa cần bù nhiệt cho tầng lái (Q3/Q4) mà phải luôn cả cho tầng công suất = tổng cộng 2 tầng. Em mạn phép hỏi cụ trong lúc cụ mô phỏng có mô phỏng luôn phần nhiệt đồ thay đổi không? À sao em không thấy chân GND từ ngõ vô ... Hay là cụ tạo mass ảo từ V1 lúc mô phỏng?
Tuỳ theo tầng trước là bán dẫn hay tube sẽ có kiểu chỉnh DC offset khác nhau anh ạ. Dùng bán dẫn ghép trực tiếp còn tube sẽ phải dùng 1 con tụ, em chưa tính ra phương án tube không tụ.
Q9, Q10 nối như vậy tương đương 1 em diot đâu có tác dụng gì tới tầng công suất. Q1,2,3,4 nối Darlington Transistor lợi về trở kháng vào ra để lái tầng công suất thì chỉnh rồi. Nhưng không có gain. Thế là phải còn tầng VAS nữa?
Gain thì do tầng đầu quyết định rồi bác .. Còn tầng này chỉ đệm và kết hợp CCS để phân áp cho CS .. Còn Q9,Q10 ép vào heatsink để điều nhiệt , nhưng mạch điều nhiệt nên thiết kế qua trở ( mặc dù nặng cho tầng trước hơn ) nối tiếp qua transistor đệm hệ số an toàn thấp hơn .. Tuy ko hồi tiếp nhưng nhưng nếu đánh tải trực tiếp thì bác chủ nghiên cứu thêm cái mạch DC servo ..
Bác có thể nói rõ hơn Q9, Q10 điều nhiệt cho tầng Công suất thông qua cơ chế nào? Em thấy Q3 và Q4 set bias cho 5 cặp công suất. Cực B của nó lại được fix bằng nguồn dòng 30mA do vậy tầng phía trước chỉ truyền tín hiệu xoay chiều chứ không thay đổi chế độ làm việc của Q3, Q4 dẫn đến tầng công suất cũng không bị tác động. Muốn thay đổi chế độ tầng công suất phải thay đổi chế độ làm việc của Q3,Q4 để thay đổi điện áp rơi trên R3 chính là áp bias của tầng công suất. Làm việc này chỉ có có cách thay đổi nguồn dòng 30mA.
Mục đích bác chủ sử dụng CCS ở vị trí này chắc nhằm mục đích ổn định dòng cho tầng đệm CS .. Còn áp thì vẫn điều tiết được bình thường nhé bác .. vậy nên nó mới có thể khuếch đại tín hiệu AC .. Còn vụ điều nhiệt Q9,Q10 thì khi nhiệt từ tản nhiệt truyền tới nó 2 con diốt này dẫn mạnh nên áp Ube Q3,Q4 giảm -> giảm bias CS .. ( đấy chỉ là suy diễn của em ) .. còn bác chủ thì có thể khác ..
Điều nhiệt bằng trở sẽ gây méo, em sẽ có thêm mạch DC offset khi dùng Vas là tube. Còn khi Vas là bán dẫn sẽ ghép trực tiếp ko qua tụ nên DC sẽ chỉnh từ tầng Vas.
Mạch này gain=1, nên phải có Vas nữa, Tube hoặc bán dẫn. Trở kháng vào rất cao ghép vào tầng tube tốt anh nhé.
Cơ chế vận hành Q9, Q10 như vậy xem ra chính xác nhưng có chỗ chưa ổn. - khi nối tắt BC của Q9, 10 bản chất trở thành Diot có miền tiếp giáp CE được dẫn thông cực đại không còn phụ thuộc vào cực B nữa. Điện áp rơi trên miền tiếp giáp CE = 0.6V. Cho dù tản nhiệt có nóng cỡ nào đi nữa thì Q9, 10 luôn trong trạng thái dẫn bão hoà và áp CE luôn bằng 0.6V. Do vậy không có tác dụng gì đến áp BE của Q3,4. - vụ nhiệt chắc không mô phỏng được. Bác cứ đấu thử thực tế là thấy CE luôn = 0.6V
Dựa vào biểu đồ nhiệt thấy rằng Q3,Q4,Q9,Q10 có dòng thay đổi rất lớn khi nhiệt độ tăng. Vd: tại 25 độ C khi set dòng 0.1A thì bias Vbe = 0.65v. Khi nhiệt độ tăng đến 150 độ C cũng tại điểm bias 0.65 V dóng ngang sang phải được dòng lên đến 5A. Nếu muốn tại 150 độ C dòng qua sò vẫn 0.1A như ta set ban đầu thì bias Vbe phải giảm về 0.4V. Việc dùng Q9,10 ổn nhiệt là khả thi nhưng phải set Vce khoảng 2.5V - 5V thì mới đủ điện áp biến đổi tác động lên Vbe của Q3,Q4. Trường hợp chốt cứng Q9,10 bằng nối tắt BC thì rơi áp 0.6V trên Vce của Q9,10 không đủ điều khiển Vbe của Q3,4.
Diot biến đổi điện áp quá ít so với nhiệt độ. Nhiệt tăng từ 25 độ C lên 150 độ C điện áp giảm từ 0.6V xuống 0.2V. Khoảng dao động có 0.4V trên +- 70V nguồn thì hầu như không đáng kể. Không đủ để điều chỉnh Q3,4
Em nhớ có đọc đâu đó nếu con BJT mắc vậy nếu lấy chức năng như diode người ta có con diode gần germanlium diode. Cũng nhớ đọc đâu đó con BJT người ta mắc vậy rồi kêu là voltage controlled as resistor. => Bởi vậy nên càng đọc nhìn vào mạch càng giống như nhìn bức vách :lol:
Từ 0,6 xuống 0,2V tức là 0,4V .. cho mỗi vế P và N thì nó đủ làm cho đám sò đằng sau từ dạt dào thành khô khốc rồi bác ơi ... vấn đề là 2 chú đằng trước phải đảm bảo ổn định với lại ít ai lấy con sò ra để điều nhiệt .. . Mặt khác vụ DC servo nữa , hy sinh đáp tần từ 5Hz cho phần điều chỉnh thì cũng chắc chưa ảnh hưởng gì ...
