tui mơi coi sơ thì irf540 có dòng cực đại là 33A nhưng chậm, Ciss=1960pF trong khi đó irf610 dòng cực đại là 3.3A nhưng Ciss chỉ có 135p. Mình nghĩ amply thường thì chả cần chi dòng lớn như vậy! Phòng nhỏ chỉ mở chít xíu là cuối xóm vẫn nghe văng vẳng luôn đó! Ở SG thì cái gì cũng chật chội. Xài loa độ nhạy cao thì càng mở nhỏ. Thời đại giờ là thời của công nghiệp nên hàng công nghiệp dễ mua, tụ xung thì lên digikey đầy đủ còn tụ audio thì có hiệu này không có hiệu kia
Đúng là vấn đề nằm ở cái tụ Cgs của MOSFET, muốn chế tao FET chịu dòng cao thì người ta phải chấp nhận độ tuyến tính kém và tụ ký sinh lớn. Con tụ này sẽ làm hạn chế dải cao của FET. IRF610 tụ Cgs nhỏ thích hợp làm headamp chứ dòng nhỏ quá làm amp công suất cao không đạt. Các bác cũng chú ý là FET công nghiệp thường được tối ưu hoạt động dạng đóng ngắt nên độ tuyến tính kém, mà hoạt động đóng ngắt FET ít nóng nên có nhiều FET dòng trên 100A mà đóng vỏ TO220 nên gặp khó khăn khi tản nhiệt ở chế độ khuếch đại. Nên dùng FET vỏ TO3P như FET của Toshiba (2SK1530/2SJ201), cặp này dùng trong amp ASR Emitter và cũng hay gặp trong audio, hoặc vỏ TO247 như FET của IR (IRF240/9240, IRF150/9150). Tụ Cgs có thể khắc phục bằng cách mắc BJT là driver. LatFET của Hitachi thì đúng là for audio rồi, ở VN phổ biến có 2SK1058/2SJ162 và 2SK2221/2SJ352 đều vỏ TO3P, mỗi tội hơi bị mắc khoảng 100K/cặp và bán theo cặp nên bác nào muốn là Nmos thì hơi tốn tiền xí.
:mrgreen: em cảm ơn các bác,nhưng em chưa hiểu về bù nhiệt bác ạ,em thấy bác thienchay nói rằng FET for audio thì không cần mắc con tran bù nhiệt lên heatsink,còn FET công nghiệp lại cần điều này?lí do này do đâu ạ? bác có thể tiết lộ về các mắc BJT để khắc phục tụ trong FET không ạ? :? P/S:em mới tra datashet thấy cả Ciss,Coss,Crss của IRF610 đều nhỏ hơn 2SK1058?phải chăng con này tốt hơn ạ? :wink:
FET có đặc điểm là trôi nhiệt âm, đối với FET audio (LatFET) thì sẽ bắt đầu trôi nhiệt âm khi dòng Ids trên khoảng 120mA, trôi nhiệt âm tức là càng nóng nó càng giảm dòng Ids, thường loại này được phân cực ở đúng 115mA sẽ gần như không trôi nhiệt nữa. FET công nghiệp cũng trôi nhiệt âm nhưng ngưỡng trôi nhiệt âm của nó lên đến vài A, thực tế không ai bias cho class AB ở tầm đó cả, thường cũng chỉ bias tầm dưới 100mA thôi nên FET trôi nhiệt dương, tức là càng nóng Ids càng tăng, mà Ids càng tăng lại càng nóng => mất ổn định nhiệt, dễ cháy nổ, BJT cũng tương tự và luôn trôi nhiệt dương. Biện pháp khắc phục vấn đề này là lấy độc trị độc, lợi dụng chính sự trôi nhiệt dương của BJT và diode để bù nhiệt. Có 2 giải pháp đơn giản sau: + Dùng 1 dãy các diode mắc nối tiếp sao cho vừa đủ áp bias cho FET/BJT, áp vào tản nhiệt. Do diode có tính chất là Vd giảm theo nhiệt độ nên khi nhiệt độ tăng thì áp bias tự động giảm => hạn chế dòng tăng theo nhiệt. + Dùng 1 BJT phụ dạng Vbe Multiplier, tác dụng tương tự diode nhưng có ưu điểm là BJT dễ áp vào tản nhiệt hơn, dễ gắn biến trở chỉnh áp bias. Nếu các bác để ý là mấy sơ đồ công suất lớn dùng BJT và FET công nghiệp thì luôn có 1 dãy diode, hoặc 1 con BJT, hoặc 1 điện trở nhiệt được khuyến cáo bắt vào tản nhiệt. Vấn đề tụ Cgs giải quyết bằng việc chọn trở kích Rg hợp lý và dùng BJT lái giống kiểu mạch Darlington.
IRFP610 cũng có 1 số mạch dùng. Ngoài thông số về điện dung ra, bác còn phải lưu ý về Package (tránh dùng TO-220 cho con xuất) và VDS tối đa. FET cho audio là Lateral MOSFET (MOSFET ngang), có hệ số nhiệt âm (tức tự bù nhiệt mà không cần thêm phần tử nào cả). Phân biệt với Vertical MOSFET (MOSFET thẳng) không có hệ số nhiệt âm, mà là dương (như BJT) nên cần phải có phần tử bù nhiệt bên ngoài (như họ IRF, 2SK1530...). Không có kiểu mắc BJT nào để khắc phục tụ trong FET cả. Ý bác là sao?
Khi hoạt động tần số cao thì con tụ lý sinh Cgs trở thành gánh nặng cho tầng VAS nên mắc 1 BJT driver để lái FET giống kiểu mạch GM. Ngoài ra con tụ Cgs này khá phiền phức nên đi layout phải hợp lý để tránh tự kích, gai nhọn hoặc trùng dẫn.
vâng,em cảm ơn bác nhé :mrgreen: thế MOSFET có lợi thế gì trong ampli so với BJT vậy bác?em thấy IRF640 cũng thấy 1 số bác tây làm amp,em tra datahsheet thì là mesh overlay MOSFET,do ngôn từ tiếng anh của em hơi kém nên không hiểu nó là gì,mong bác giúp em với ạ :roll: em thấy rằng MOSFET cũng tương tự như đèn về cách hoạt động phải không bác?
Mesh overlay technology là tên gọi 1 công nghệ chế tạo FET của hãng ST, họ nói công nghệ đó giảm được kích thước die chip, giảm tụ ký sinh, giảm nội trở... MOSFET đúng là có 1 số điểm giống đèn như tổng trở vào cao, là nguồn dòng phụ thuộc áp... nhưng đó chỉ là điểm tương đồng chứ cách hoạt động khác nhau chứ, vì bán dẫn là bán dẫn, đèn là đèn.
co bác nào lắp xong mạch công suất 1000w chạy feet irf260 của legend chưa cho ý kiến với.e cung định ráp mạch do nhung kg bjet co ổn kg
