Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận fT là tần số cắt của một mạch lọc, trong trường hợp này là mạch lọc thấp qua, với những giá trị ở trên thì mạch lọc này chỉ cho các sóng âm có tần số dưới 800 kz đi qua, cắt bỏ các tần số cao hơn. Pi là một hằng số trong toán học có giá trị bằng chu vi đường tròn chia cho đường kính của đường tròn đó. Trong thực tế, để tính toán, người ta thường dùng giá trị gần đúng là 3,14 hoặc 3,1416. Trong công thức trên bác sẽ thấy 1/2pi là hằng số, Ciss là điện dung ngõ vào của Mosfet và thay đổi tùy theo loại fet bạn sử dụng, tùy theo Ciss bạn chọn Rg thích hợp để có fT mong muốn.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Hê hê. Mình nói là có thể mắc thêm tụ vào cực G và D của K để cân bằng Ciss của K và J vì có ampli thương mại đã áp dụng rồi. Trong thực tế mình chọn lắp trở K và J khác nhau để có cùng fT, chẳng ai dại gì gắn thêm 1 con tụ nữa cho tốn tiền. Nhưng đó là 1 giải pháp.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Rất khó xác định con trở G chính xác vì sò mua được chưa hẳn thông số giống như Data. Nên dùng biện pháp đo đạc quan sát cạnh lên và xuống của xung vuông rồi so sánh với cạnh lên xuống của xung vuông gốc. Chỉnh sao cho cạnh này song song với xung gốc và không uốn lượn gấp khúc là OK. Đối với cặp K/J theo sơ đồ các máy có dùng nó thì thông dụng nhất là dùng 220R, đặc biệt có máy dùng chỉ 15R. Khi đo con này càng thấp thì thông số đo càng đẹp, còn nghe thì gần như không thể nhận ra khi thay đổi con này.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Con 220R mà bác nói thông dụng này là họ dùng cho K hay J hay cả cặp K/J
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Câu này chuẩn, Rg phải xác định bằng thực nghiệm và đo đạc vì sò mình mua không chuẩn. Nhưng đa số anh em DIY không có máy đo nên tạm tính theo lý thuyết vậy thôi, thế còn hơn là cứ lắp bừa vào.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Cái con tụ ký sinh này em nhiều lần đau đầu với nó rồi. Em hay làm FET công nghiệp dòng cả trăm A, mà chế tạo FET dòng lớn tụ Cgs cũng lớn theo, nó mà xả không kịp trùng dẫn là cháy nổ chứ không bốc khói đâu.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Những bài viết như thế này nên quote lại làm tài liệu lâu dài về sau các bác ơi tiếp nữa đi.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Tóm tắt lại đến thời điểm này những điểm dưới đây em tóm tắt theo lý thuyết và cũng vừa thực hành với 1 kênh. 1. Jfet in put : Dòng khoảng 4-4.5mA, áp tại điểm phân áp = 15V 2. Tần Fzt con con trở hạ áp Fzt 957 đặt sao cho dòng qua Fzt khoảng 4-5mA tức là dòng qua con trở hạ áp khoảng 8-10mA ( chỗ này các bác nên để trở 220R với áp 60VDC để có dòng chạy qua con trở là 10mA và 5mA cho mỗi con FZT). 3. Dòng cho cực G ( tương đương dòng Mje - đo áp rơi trên con trở nối chân E của MJE để dòng qua nó rơi vào khoảng 4-5.3mA.) để khoản 4 mA thì đỡ nóng hơn để tăng được dòng chỗ này thì cứ giảm trở nối 2 chân e của MJE xuống 4. Trở cực G - tỷ lệ giưa K&J là 1.5 "190Ω - 210Ω on the N-channel FET and 240Ω - 330Ω for the P-channel FET" tuỳ chọn, ( cái này người ta đã thực nghiệm rồi, thực lý thuyết là như thế nhưng Ciss nó biến thiên nên họ đã thực nghiệm với cặp K1058 J162 và đưa ra khuyến cáo như thế, R thấp quá thì dễ gây ra tự kích R bằng nhau 2 con fet nạp xả không đồng thời dễ gây cháy nổ, trở cao quá làm chậm tốc độ ) 5. biass cho mỗi cặp Fet là 115mA (chỗ này cứ làm như sau: tổng Vbiass cho cặp K&J cần khoản 2V , dòng qua con Fzt = 5mA tính ra con trở cần biass 2/5=400R - các bác có thể dùng 390R . hoặc thích thì ghép vào để lên 400R hoặc 410R. Với giá trị trở biass tình như trên các bác sẽ có kết quả Vgs ưng ý: Vgsk~0.55-0.6V Vgsj~0.3V 0.55-0.6V là đúng theo đường đặc tuyến của cặp fet này khi biass ở 115mA rồi khỏi lăn tăn. Bác nào thấy chưa hợp lý chỗ nào bổ sung thêm giúp em , hiện tại em thấy có tí lý thuyết vào làm chả thấy sai với lý thuyết tí nào. Mấy chỗ tính toán chỗ Jfet em học theo bác UL hướng em làm theo thực tế thấy tính toán và thực tế sát nhau. Phần biass em phải đọc tài liệu và làm thực tế nó ra đúng như thế ( và em chắc là đã đi đúng hướng) Thực tế con trở biass hoàn toàn có thể tính toán giá trị phù hợp chứ không phải làm mù như trước nữa lúc thì 270, lúc thì 330 lúc thì 470 chả biết lối nào mà mò.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Ngoài ra trở cực G còn liên quan đến tốc xuất của âm li, Ảnh hưởng nhiều đến các giải âm thanh. Lựa chọ sao cho phù hợp, là do từng yêu cầu thiết kế, đôi khi có thể như khuyến cáo của Mosfet hoặc không.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Giá trị trở bias nên dùng phương pháp đo đạc chứ không nên fix theo mạch ai cả. Theo em, nếu áp rơi trên trở bias từ 1,9 v đến 2.3 v là ngưỡng hoạt động tốt nhất đối với Fet công suất( tương ứng với trở bias từ 390 đến 470 nếu dòng tầng đầu áp dụng theo các thông số bác QH đưa). Việc chọn các giá trị này nên thử nghiệm vì tuỳ theo từng bộ sò, áp chia trên hai cặp K, J làm nóng nhiều hay ít, sò mua thường ít match pair KJ, và thường chênh lệch ở mức 0.3v nếu K chưa đạt mức bão hoà( thường là 0.8v), qua nhiều thử nghiệm em thấy khi tăng trở bias, K và J sẽ duy trì mức tăng tương ứng cách nhau 0.3v đến khi K đặt 0.7v thì tăng chậm hơn J nếu tiếp tục tăng trở bias, khi trở bias ở mức 470 Ohm thì áp K và J lần lượt là 0.75 và 0.55v, tăng lên 510 thì K và J là 0.85, 0.75v. bias 510 rất nóng, tiếng ra chi tiết và mạnh nhưng nguy hiểm quá, tản nhiệt nóng không sờ tay được. Em bị đi 1 bộ sò vì bias 510 mà mở volume to rồi. Đó là kết quả các thử nghiệm em đã thu được dựa trên cả tính toán lý thuyết và áp dụng thực tế,
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Mạch GM về nguyên lý và topo mạch thật ra rất đơn giản. Nó dùng kiểu mạch vi sai đôi (Dual LTP) đặc điểm là có tầng input và tầng VAS đều là dạng vi sai. Khác với topo Lin hay dùng cho BJT tàng VAS có nguồn dòng hằng nhưng không có visai. Tầng vào dùng dual JFET 2N5565 có gm trung bình, nếu dùng 2SK170 có gm lớn (2SK170 được Toshiba thiết kế dùng cho Phono) thì tăng được hệ số khuyếch đại vòng hở và CMRR nhưng lại gặp vấn đề DC offset do đó phải match pair tốt. Cặp MPSA42 nằm trên ghép cascode để ghim áp cho JFET vì JFET làm việc tốt ở tầm 15V, cặp này cũng phải match, kể cả 2 con trở 1K5 và 2 con trở 75R. 1 điều nữa là như mọi mạch visai khác hệ số CMRR còn phụ thuộc rất nhiều vào chất lượng nguồn dòng hằng. Tầng VAS dùng con PNP chạy class A khuếch đại áp, bias 4.5 - 5mA. Đặc điểm chỗ này là vì ưu tiên tầng đầu dùng N-channel JFET rồi nên phải dùng con PNP, mà áp lại cao, cần băng thông rộng nên dùng BJT quét mành CRT là tốt nhất (FZT957/MJE350), cần có tụ pi ổn định cao tầng cho tầng này, lưu ý là không nên gắn tụ ổn định cao tầng cho tầng VAS hồi tiếp âm, vì nó ngăn hồi tiếp âm cao tần thành ra hồi tiếp dương gây ra gai nhọn, tự kích, mô phỏng Multisim sẽ thấy rõ. Tầng diver bỏ đi vẫn chạy, nhưng hãng họ thêm vào để kéo tụ Cgs của mấy con FET giảm tải cho VAS ở tần số cao, mở rộng dải tần, giảm méo tần số cao. FET phân cực ở 115mA/cặp sẽ được đặt tuyến đẹp nhất và ít trôi nhiệt. Ở đời không bao giờ có chuyện linh kiện cân nhau tuyệt đối nên áp Vgs K cao hơn Vgs J là hợp lý, mạch hồi tiếp sẽ tự nâng áp Vgs K cao hơn Vgs J để đảm bảo dòng bias và DC ngõ ra. Nên mắc tụ pi song song với trở 7K5 để tăng hổi tiếp âm ở tần số cao, ổn định cao tần. Đường hồi tiếp không nên vẽ to, dài, nằm song song với mass sẽ tạo tụ ký sinh làm tín hiệu cao tần không hồi tiếp được, dễ tự kích. Đường từ driver đến cực G càng ngắn, càng thẳng càng tốt. Gần mỗi linh kiện công suất nên có 1 cặp tụ hóa + tụ MKP để cung cấp dòng tại chỗ cho linh kiện. Đây là kiểu mạch căn bản, tính ra thì khá đơn giản, mạch này mà thiết kế tốt cho THD 0.00x, dải tần rộng. Kiểu mạch này xuất hiện cuối những năm 70, thịnh hành những năm 80 nhất là ở châu Âu, GM cũng thuộc trào lưu này và giữ nguyên đến giờ, ở châu Âu vẫn còn vài hãng xài LatFET, có Exicon và Semelab còn sản xuất LatFET . Em chỉ đang lo LatFET sắp tuyệt chủng, cũng may có mấy cái amp karaoke Hàn Quốc nó dùng K2221/J352 nên ở Nhật Tảo họ nhập về bán, chất lượng khá yên tâm. Các bác không kiếm được ECF 10N16/10P16 thì cũng đừng kiếm K1058/J162 đóng logo Hitachi làm gì, hàng nhổ máy cũng không có đâu. Bây giờ LatFET do Renesas sản xuất tại Malaysia, cũng như Freescale, ON của Motorola vậy.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Lâu lắm rồi em mới đọc được một bài chia xẻ hay như vậy, thanks bác anhkhois rất nhiều. Bác cho em hỏi giữa 2 cặp BJT FZT957/FZT857 và MJE340/MJE350 thì cặp nào hoạt động ổn định hơn.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Cảm ơn bài phần tích của bác, cái chỗ bôi đỏ đó là con MJE để giảm tải cho Fzt , em chua hiểu chỗ này no có yêu cầu dòng nhiều không , có cần thiết dòng chạy qua MJE này = dòng chạy qua FZT không ah? tầng driver thì em đọc tài liệu thấy nói y như bác phân tích, còn mấy con MJE em chưa hiểu nó nên nhờ bác giúp.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Đây là bài phân tích tổng quát, đầy đủ và khoa học nhất về GM cho đến thời điểm hiện tại. Cám ơn bác rất, rất,... nhiều.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Đó là mắc Darlington bác à, đối với BJT thì dòng ibq2 = icq2/hfeq2, ibq1 = icq1/hfeq1. Mà icq1 chính là ibq2 => ibq1 = icq2/(hfeq1*hfeq2). Ta có 1 transistor có hfe lớn, vì vậy để kéo cặp Darlington thì tầng VAS khá nhẹ tải. Mở rộng ra với MOSFET, như em đã nói mọi thứ rắc rối là cái tụ Cgs, nếu nó là nguồn dòng phụ thuộc áp thì không nói làm gì. Vấn đề là đã là MOSFET thì luôn có tụ Cgs, muốn có áp kích thì phải nạp tụ, mà tụ không thay đổi áp đột ngột được, mà muốn thay đổi áp nhanh thì phải nạp dòng, mà muốn nạp dòng thì cần có driver. Gọi dòng nạp FET là igq4, ta có ibq3 = igq4/hfeq3. Thực tế thì con tụ chỉ có 600pF đối với 2SK1058, không có driver thì BJT tầng VAS cũng có thể làm tốt việc này, tuy nhiên triết lý GM là càng chính xác càng tốt, dải tần phải rộng đến MHz nên họ thêm con driver này vào, topo mạch gốc không có driver, mà amp đỉnh cao nên cho mỗi FET 1 driver luôn cho nó gấu, như vậy VAS càng nhẹ tải, mà mỗi driver lái 1 FET nên FET lệch nhau chút ít không thành vấn đề.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận cho em hỏi giá trị tụ pi này nằm ở giá trị nào là tối ưu cho việc hồi tiếp tần số cao Nên mắc tụ pi song song với trở 7K5 để tăng hổi tiếp âm ở tần số cao, ổn định cao tần. và con tụ 4.7 p này sẽ ảnh hưởng đến việc hồi tiếp nên bỏ đi ?
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Em đâu có nói bỏ con tụ đó, nó chỉ để ổn định tần số cao cho nguồn dòng VAS thôi mà. Con tụ gạch chéo màu đỏ mới nên bỏ, nó ngăn việc hồi tiếp tần số cao dẫn đến gai nhọn và tự kích. Em chủ quan phân tích vậy thôi, có gì sai các bác nói để em rõ hơn. Cái tụ song song con trở 7K5 cũng dễ tính thôi, vấn đề là em cũng chưa biết nên cắt cao tần thế nào cho hợp lý. Vì mạch GM đạt yêu cầu phải có đáp tuyến gần thẳng đến MHz, mà em lại ngại tự kích với gai nhọn lắm nên cũng không biết thế nào cho vừa.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Như vậy con FET thì không cần match nhưng cái cần match lại là con BJT? Bác anhkhois quote hộ em phát nhé
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Cảm ơn bác, phân tích của bác làm em không còn lăn tăn những gì em đã làm và đã đưa ra. :lol: biass đúng theo khuyến cáo 115mA có thể nó hơi nóng một chút nhưng bản thân nó phải nóng thế. miễn là đừng bắt nó chạy quá tải là OK việc nó nóng là nó nóng thôi Làm như hình này là OK, em đã thử chạy simulate rồi bỏ cái con gạch đỏ đi nâng con còn lại lên 20pi thì hết gai góc. con phía dưới cứ giữ nguyên.
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận 10p là vừa em ơi...Còn tụ pi //7k5 cái V1 có đó nhưng gắn vào âm thanh nó kỳ kỳ...
Re: Vấn đề KT mạch GM & THQ cần thảo luận Gắn thực tế thì tai khó có thể phát hiện ra, nên em chỉ chạy giả lập thay giá trị con đó, đến 20p thì mới phẳng, 10p vẫn có một chút nhọn 10p thì gắn 2 con 4.7p // hình như có Vérion mình đã làm rồi thì phải.
